Samsung ar fi realizat primul prototip V-NAND cu 900 de straturi

Samsung a intrat din nou în atenția pieței de memorii după ce SamMobile, pe baza unui raport ETNews, a scris că firma sud-coreeană a realizat primul prototip V-NAND cu 900 de straturi din lume. Vorbim despre un cip de stocare flash 3D, adică genul de memorie folosit în SSD-uri, telefoane și echipamente pentru centre de date, cu mai mult spațiu de stocare în aceeași suprafață și un consum mai bine controlat.

V-NAND -  Sursa imagine: comunicat Samsung

Numărul de straturi nu este doar o cifră care sună bine pe hârtie. La NAND 3D, straturile sunt suprapuse pentru a înghesui mai multe celule de memorie în același cip, ceea ce ridică densitatea și ajută la păstrarea unui consum mai mic față de alte metode mai vechi de creștere a capacității. Tocmai de aceea, producătorii tratează astfel de salturi ca pe niște pași importanți pentru SSD-uri mari, servere și sarcini AI, unde contează atât volumul de date, cât și eficiența energetică.

Samsung nu pornește de la zero pe traseul acesta. În aprilie 2024, compania a anunțat producția de serie pentru 1Tb TLC V-NAND de generația a 9-a, iar în septembrie 2024 a urmat versiunea QLC de generația a 9-a. Samsung a spus atunci că aceste cipuri vor ajunge în produse pentru consumatori, în UFS pentru telefoane, în PC-uri și în servere SSD, inclusiv pentru clienți din cloud. Pentru TLC, compania a vorbit despre o densitate de biți cu aproximativ 50% mai mare decât la generația anterioară, iar pentru QLC despre un salt de circa 86% față de QLC-ul precedent, plus viteză de scriere dublată și un transfer de date mai rapid.

Diferența importantă din raportul ETNews ține de metoda prin care Samsung ar fi ajuns la această densitate. Potrivit publicației, prototipul de 900 de straturi folosește Cell Multi-Bonding, adică lipirea a două plăci de celule cu câte 450 de straturi într-un singur cip. ETNews spune și că Samsung a verificat funcționarea normală a celulelor, nu doar un concept teoretic. În aceeași zonă apar și provocările tehnice care cresc odată cu numărul de straturi, cum ar fi deformarea plăcii și alinierea greșită, iar raportul susține că firma a lucrat la acestea cu un Upper Chuck mai avansat și cu tehnologia Overlay Correction.

ETNews mai susține că Samsung a modificat și structurile Bitline și Wordline, cu efect asupra dimensiunii cipului și asupra consumului. Asta contează fiindcă, la NAND, fiecare pas în sus trebuie să rămână compatibil cu producția reală, nu doar cu laboratorul. Samsung a explicat în materialele sale oficiale că generația a 9-a V-NAND folosește Channel Hole Etching, o structură double stack și un low-power design, iar interfața Toggle 5.1 urcă până la 3,2 Gbps. În traducere liberă, compania încearcă să împingă densitatea mai sus fără să sacrifice prea mult viteza sau eficiența.

Samsung își leagă această evoluție și de o direcție mai lungă. În cadrul Samsung Tech Day 2022, compania a spus că țintește 1.000 de straturi V-NAND până în 2030, iar în materialele de atunci amintea și faptul că a fost prima care a comercializat 3D V-NAND în 2013. De atunci, fiecare generație a adăugat densitate, iar prototipul de 900 de straturi pare să ducă mai departe aceeași linie tehnică. Nu este un salt care schimbă peste noapte piața, dar arată clar cât de sus a ajuns competiția la nivel de arhitectură.

Presiunea nu vine doar din partea Samsung. SK hynix a anunțat în august 2025 producția de serie pentru NAND QLC cu 321 de straturi și 2Tb capacitate, prima implementare QLC de peste 300 de straturi, iar compania a spus că produsul aduce dublarea vitezei de transfer, o scriere mai bună cu până la 56% și o citire mai rapidă cu 18%. SK hynix a mai precizat că va începe cu SSD-uri pentru PC și apoi va merge spre servere și telefoane. În același timp, Tom's Hardware a scris că YMTC a început să livreze NAND 3D cu 294 de straturi totale și 232 de straturi active, folosind arhitectura Xtacking 4.0. Pe scurt, marile nume din memorie împing în paralel spre densități tot mai mari, fiecare cu propriul ritm.

Pentru utilizatorul obișnuit, astfel de salturi se simt mai ales în capacitate și eficiență, nu neapărat într-o viteză spectaculoasă imediat vizibilă. Samsung mai are de parcurs drumul de la prototip la producție de masă, dar faptul că a ajuns la 900 de straturi în faza de cercetare spune multe despre direcția în care merge memoria flash. Dacă un astfel de proces ajunge în produse comerciale, efectul cel mai probabil va fi mai mult spațiu în același volum și mai mult loc pentru SSD-uri mari, fie ele pentru servere, fie pentru dispozitive obișnuite.

Crezi că astfel de cipuri vor ajunge repede și în SSD-urile obișnuite, nu doar în produse pentru servere? Sau vor rămâne o vreme mai ales în zona de laborator și producție limitată?

Sursa: Raport ETNews despre prototipul Samsung V-NAND de 900 de straturi, Samsung începe producția de serie pentru V-NAND TLC de generația a 9-a, Samsung începe producția de serie pentru V-NAND QLC de generația a 9-a, Samsung explică evoluția V-NAND și ținta de 1.000 de straturi